三星电子官方宣告，渐渐的开端批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。

  就在本年4月，三星开端量产第九代TLC V-NAND闪存，二者只距离4个月。

  根据双仓库架构，完成了当时业界最高的单元堆叠层数(详细未公开)。一起优化存储单元面积、外围电路，位密度比上代提高约86％。

  可以调整、操控存储单元的字线(Word Line)距离，保证同一单元层内、单元层之间的存储单元的特性坚持一致，到达最佳作用，数据坚持功能提高约20％，增强了可靠性。

  可以猜测、操控存储单元的状况改变，尽可能削减不必要的操作，写入功能翻倍，数据输入/输出速度提高60％。

  降低了驱动NAND存储单元所需的电压，只感测必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗约分别下降了约30％、50％。

  三星第九代QLC V-NAND闪存将首要用于消费电子科技类产品，然后逐渐在UFS、PC、服务器范畴铺开。

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