-复旦大学科研团队完结了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器材，处理了世界半导体电荷存储技能中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题据新华社上海4月10日电(记者吴振东)近来，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队完结了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器材，创始了第三类存储技能，写入速度比现在U盘快一万倍，数据存储时刻也可自行决定。这处理了世界半导体电荷存储技能中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

  据了解，现在半导体电荷存储技能主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会当即消失；第二类对错易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无需额定能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技能需求几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

  此次研制的新式电荷存储技能，既满意了10纳秒写入数据速度，又完结了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中能够极大下降存储功耗，一起能完结数据有效期截止后天然消失，在特别使用场景处理了保密性和传输的赤军。

  这项科学打破由复旦大学科研团队独立完结，复旦大学专用集成电路与体系国家按摩实验室为仅有单位。该项作业得到国家天然科学基金优秀青年项目和按摩研讨项目的支撑。

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