目前应用在移动终端的嵌入式存储设备（这里主要指UFS/eMMC等，以下统称“嵌入式存储设备”）中主流介质还是TLC。但更高存储密度的QLC也已经产品化，比如一些数据中心（读密集型应用）已经在部署QLC存储设备。QLC可以给存储设备带来更低的成本，作为消费级产品的嵌入式存储设备，未来引入QLC也是势在必行。但和当前主流TLC相比，QLC在性能和寿命上都相差很大，从下面某原厂TLC和QLC在性能和寿命方面的一个对比可见一斑。（Table 1:某原厂TLC和QLC性能和寿命对比）因此，QLC要应用在

  Intel全球首发144层QLC SSD！最大30.72TB、寿命媲美TLC

  今天举办的2020内存存储日活动上，Intel一口气发布了六款全新的内存、存储新产品，首先来看面向数据中心市场的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同时全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存，都支持PCIe 4.0。Intel虽然已经将NAND闪存业务和工厂卖给SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路线图也会继续执行，同时交易也不涉及傲腾技术和产品，Intel会持续推进。2016年，Intel推出了第一代32层堆叠TLC闪存，次年翻番到64层并进化为TLC颗粒，存储密度提高了13

  说到QLC SSD，就必须提三星 860 QVO SSD。作为最早搭载QLC闪存颗粒的消费级SATA SSD，三星 860 QVO SSD刚发布的时候就因为其性能表现欠佳，而引发了不少用户和媒体人的讨论：QLC（4bit MLC）到底有没有实际意义？它是不是大号U盘？等等。虽然刚开始大家都视QLC SSD为洪水猛兽，纷纷对三星 860 QVO SSD持保留态度，但是随着其售价不断的下探，主打的大容量和读写性能的强劲，还是有不少玩家没办法逃脱“真香定律”选择入手，相比一开始消费者的迟疑反应而言，无论

  HDD硬盘的出货量不断下滑，现在大容量方面也要遇到SSD的挑战了——群联今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC闪存能做到15.36TB容量，是QLC中最高记录。群联的S12DC方案不追求极致性能，基于此的SRE250硬盘使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常规标准，容量能做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，连续读取为530MB/s，连续写入为220MB/s，4K随机读取90K IOPS，4K随机写入10K IOPS，功耗4.5W。这个QLC硬盘的性

  Q3季度闪存价格又要跌10%，今年6大原厂将会把重点转向128层堆栈的3D闪存生产上来。国产的长江存储也赶上来了，4月份推出了128层QLC闪存，在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存，其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存，基于Xtacking堆叠架构，单位面积的存储密度是同种类型的产品中最大的。目前长江存储的量产主力就是64层TLC闪存，已经随光威、国科微、金泰克、七彩虹等厂商的SSD硬盘上市。长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存，这是今年4月13日才

  寂半年之后，无论是业内人士还是众多购买的人，都渴望换换环境、出去走走，在深圳会展中心看一场科技盛宴再适合不过。8K智慧屏、5G芯片、机器人、新能源汽车，还有会跳舞的机器人，这些来自世界各地的炫酷黑科技和创新成果都将出现在CITE2020。相比以往，CITE2020不仅更侧重世界科学技术创新合作，也更聚焦于时代风口下的“科技”之争，注重科技与生活的结合。对于马上就要来临的CITE2020，面对那些不胜枚举的震撼现场，你准备好了吗？搭建电子信息全产业链展示、交流平台！作为中国电子信息产业的窗口和引领产业高质量发展风向标,第八

  Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企业级NVMe™固态硬盘控制器

  随着数据中心支持的人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载慢慢的变多，市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此，市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会（SINA）新推出的企业和数据中心固态硬盘外观尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIeÒ的非易失性存储器高速（NVMe™）固态硬盘。这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点，能驱动NAND闪存发挥最大潜力，同时保持这种企业级NVMe固态硬盘所需的丰富功能集和可靠性。Microchip

  4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城真正开始启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND

  美光推出性能型和经济型客户端 NVMe™ SSD 新品， 搭载业界领先的容量和 QLC NAND 技术

  新闻要点●   全新的性能型和经济型 SSD 的灵活选择满足了从轻薄笔记本到高性能工作站客户端PC系统的存储需求；●   M.2 外形规格的美光 2300 SSD 采用美光创新的 96 层 3D NAND 技术，具备行业领先的 2TB 容量[1]；●   美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性价比；与机械硬盘相比，采用了美光 QLC 架构的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Techn

  在QLC闪存的商用上，Intel和曾经的亲密战友美光（英睿达）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道开卖了很长一段时间。日前，Intel非易失性存储解决方案负责人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出货量超1000万。她同时公布，基于144层3D QLC闪存（内部命名为Arbordale Plus技术，家族第四代闪存）的SSD（代号Keystone Harbor）会在今年底出货，Intel准备在2021年内将整个SSD产品线层闪存芯片上。不仅如此，Intel确认，容量密度更高

  上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。对3D闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是3D闪存的核心竞争力,2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。不过每家的技术方案不同,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的,美光、SK海力士有128层的,Intel的是144层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层

  新闻要点●   美光率先在业界推出面向数据中心的四层单元 (QLC) NAND 技术；●   基于 QLC 技术的美光5210 SATA SSD 正在引领数据中心从 HDD 过渡到 QLC SSD，凭借其全新容量和创新的工作负载洞察，满足通用服务器和存储的需求；●    强劲的客户的真实需求和 OEM 厂商验证，推动美光 QLC SSD 进入市场。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司

  2019年4月，英特尔推出了傲腾H10混合式固态盘。这款产品将英特尔傲腾技术的卓越响应速度和英特尔QLC 3D NAND技术的强大存储容量融为一体，采用M.2规格。近日，英特尔非易失性存储方案事业部宣布基于中国大连制造的QLC NAND裸片所生产的英特尔® QLC 3D NAND固态盘（SSD）已达1000万个。此项生产始于2018年底，这一新的里程碑也确立了QLC技术成为主流大容量硬盘技术的主体地位。英特尔客户端SSD战略规划与产品营销总监Dave Lundell表示：“很多公司都谈论过QLC技术，但只

  引领存储新架构 构建数据金字塔 英特尔通过傲腾和QLC NAND技术变革存储未来

  近日，以“数智·未来”为主题的2019中国数据与存储峰会在北京成功举办。汇聚全球数据存储领域知名的专家学者、企业领军人物与代表性企业用户，本次峰会旨在帮企业和社会提升数据智能水平，推动全球存储与数据产业高质量发展。英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生出席大会并发表演讲，不仅从产品层面阐述了英特尔如何通过傲腾™技术和QLC NAND™技术填补当前存储层级中的巨大鸿沟，还通过诸多用户案例进一步展示英特尔如何通过内存与存储的产品、技术创新引领存储新架构，构建数据金字塔。英特尔公司中国区非易失性存储事业部

  SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来，虽然容量慢慢的变大，但是性能、寿命、可靠性却是越来越弱，只可以通过其他方式弥补。就像之前很多人抗拒TLC一样，现在依然有很多人不接受QLC，但大势不可逆转。

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