NAND FLASH被大范围的应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被大范围的应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述了一种基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法。

  欧比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量为2Tb、位宽为16位的NAND FLASH，其内部由8片基片拓扑而成，其拓扑结构如下：

  IP逻辑主要有片选信号产生、ALE、CLE、RE、WE等控制信号的转接。其中RE、WE信号可采用AVALON总线的RE、WE信号;CLE、ALE采用总线位来控制;片选数量较多可依据AVALON总线的byteen信号进行译码产生。

  IP核设计完成后采用QSYS进行硬件平台搭建，QSYS系统软核对外引出信号有EPCS、UART、NAND FLASH接口，在Quartus II建立原理图块进行编译产生硬件信息。

  本文阐述了一种通过FPGA实现对欧比特公司的大容量NAND FLASH芯片VDNF2T16VP193EE4V25的操作方法。设计中采用ALTERA公司FPGA芯片，利用自建IP搭建硬件平台实现NAND FLASH的驱动。该设计也可移植到其他FPGA上，可以很好地应用在各嵌入式电子系统中。

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  最近几个季度，由于需求放缓和供应过剩，NAND内存和固态驱动器的平均销售价格一直在下降。但随着慢慢的变多的应用程序采用SSD，其单位和美元销售额有望增长。根据Yole集团（通过StorageNewsletter）的估计，五年后，即2028年，SSD 市场营收规模将增加至 670 亿美元（当前约 4609.6 亿元人民币）。 报告中指出，全球 SSD 市场规模在 2022 年为 290 亿美元（当前约 1995.2 亿元人民币），出货量为 3.52 亿块；而在 2028 年市场规模会达到 670 亿美元（当前约 4609.6 亿元人民币），出货量为 4.72 亿块，复合年增长率为 15%。 在 2022 年售出的 3.52

  一、目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的内存， 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。 二、代码 关于如何建立开发环境，在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循环点亮)里有介绍, 请 参考。要初始化并使用内存有必要了解一些很锁碎的细节，上来就讲这些知识点未免生涩，不 如在代码中穿插讲解来的直接。 @ 文件 head.s @ 作用: 关闭看门狗、设置内存、向 SDRAM 搬移 Nand Flash 的前 4K 代码、设置堆栈、 @ 调用已经搬移到 SDRAM 的 main 函数 .text .global _star

  开场白： 希望能够通过这篇文章记录一下自己在调试NAND flash的经验。希望对大家有用。 上个月搞了一块开发板QT210。说实话没找到很多的datasheet就开始搞了。最早还是从boot说起，说到这这里不得不提到boot中打印的错误信息 ****CRC Error*****。最后还是决定静心调试看看怎么回事。结果发现资料还是确少，怎么办？找了以前的omap开发板。（自己觉得omap的板子 BSP还是做的比较好的）。在omap上调试了一下并测试了一些基本的NAND的读写操作。 210的板子准备在linux中使用MTD去管理者块flash。并且留下了疑问：s5pc110的片子memory map给nand 和 onen

  flash 读写（基本操作） /

  S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的处理器,采用ARM内核,不同于单片机,无片上rom与ram,必须搭配相应的外围电路进行使用,现在,让我们从零开始做这一块MCU的学习,为了入门简单方便,前期我不会搭载任何操作系统,本手册写到哪算哪. 1.什么是nor flash启动和nand flash启动 在任何视屏教程里面,都会告诉你一个开关左右选择就能norflash启动或者nand flash启动,norflash启动能直接运行代码,nand flash启动不能直接运行代码,可是为什么呢? 要知道这一点,首先要明白nandflash和norflash的区别,首先,norflash是随机存储介质,也就是说,对n

  flash启动问题 /

  据集邦科技存储器储存研究（DRAMeXchange）指出，由于中美贸易摩擦影响，大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓，其中，NAND Flash发展主力厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品，而随其2020年逐步扩冲产能，预计将对全球NAND Flash市场供应与价格带来冲击。 集邦指出，长江存储已于第1季送样给部分客户及控制器（MCU）厂商，初期着重国内市场销售，且已完成武汉厂的建设，并小量投产32层产品，待64层正式量产后，产能扩张将转趋积极。 市场人士则认为，该公司2020年后预计逐步扩大产能，预估明年底至少达每月60000片投片量，尽管相对其他竞争者产能并不大，但预估仍将冲

  Y --

  据路透社报道，美国国际贸易委员会一位行政法官日前否决了 东芝 关于Hynix半导体公司侵犯其 NAND闪存 专利的起诉。行政法官Paul Luckern撤销了 东芝 对Hynix的侵权指控。报道称，这一决议还有待美国国际贸易委员会审阅，并最终交由联邦法院进行审理。 东芝 和Hynix在1996年8月签署了一份涉及到半导体产品的专利交叉许可协议。双方从2002年12月31日协议到期之前开始就延长协议进行谈判，但在 东芝 专利的许可费用上没有达成共识。 2004年， 东芝 就DRAM和闪存专

  北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升， 美光 科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。下面就随嵌入式小编共同来了解一下相关联的内容吧。 由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更加高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。 美光 科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已经涨价5%。 DRAM芯片大约占到 美光 科技上季度营收的64%。 与此同时，该公司的 NAN

  4月21日欧比特披露了2017年的年报,年报中显示公司2017年营业总收入为7.39亿元,同比增长31.95%,纯利润是1.20亿元,同比增长42.89%,基本每股盈利为0.19元,并且公司还公布了2017年的分红计划。 在报告期内公司主体业务为航宇电子、卫星大数据、人工智能3大板块,其中航宇电子主要是SOC芯片及核心元器件等,从商业级到航宇级均有覆盖;卫星大数据业务是公司的战略级的核心业务,在并购了相关配套公司后,已经初步构建成卫星大数据采集、卫星大数据运维和卫星大数据处理与应用的一体化业务模式;在AI领域公司收购了铂亚信息后将自身强大的芯片设计能力与铂亚的智能识别技术相结合,为安防、交通等领域提供了集成解决方案,同

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