根据功能性及使用的主要存储芯片类型不同，半导体存储器分为易失性存储芯片（简称RAM）和非易失性存储芯片（简称ROM），RAM的大宗存储为DRAM，就是常说的内存，ROM的大宗存储为NAND Flash ，就是常说的固态硬盘（或U盘）。目前存储芯片市场主要，其中，DRAM 市场顶级规模，占比约为55.9%，NAND Flash 占比约为44.0%。随着AI的大规模普及，受到大模型时代的高算力、大存储的现实需求推动，将GPU及存储需求迅速提升。其中DRAM最新技术为HBM，直接翻译即是高带宽内存，被称为GPU最强辅助，目前该技术被美国严格封锁。NAND还需要

  存储行业市场规模超千亿，是半导体产业的第二大细分市场，占半导体市场占有率大约25%左右，其周期性与全球半导体整体周期性走势一致。DRAM的市场增长需求大多数来源于手机、PC与服务器，更多是随着AI算力的增长而增长；NAND Flash市场需求量开始上涨，大多数来源于于智能手机、平板电脑、固态硬盘等消费电子科技类产品的普及和升级换代，特别是在新能源汽车、物联网等新兴领域。HBM全球供应商大多数来源于韩国（SK 海力士、三星）和美国（美光），目前国内受制于DRAM和先进封装量产工艺，仍处于积极研发状态，尚无大规模量产产品，HBM生产需同时具备DRAM生产和先进封装工艺的产业化能力。存储芯片行业正以前所未有的速度发展，尽管厂商众多，但市场主要份额仍被三星、SK海力士、美光科技几家巨头占据95%以上份额。（评：投资存储半导体的核心逻辑是国产替代）

  综合来看，两家核心的公司未上市。兆易创新和北京君正两家公司行业竞争非常激烈，核心投资逻辑是大鱼吃小鱼，以及国产化替代，另外能关注兆易创新的MCU和北京君正的计算芯片是否有爆款产品。当前市值已经挺高了，应该透支了不少长期业绩，适合做概念题材，做长期投资标的风险相对较大。澜起科技和江波龙，竞争态势相对明确，在行业内有较强的竞争力，但是面临行业营收天花板，需要看能否开辟第二增长曲线。总之，存储半导体行业投资难度很大，要掌握更多的专业相关知识可能才能理顺逻辑。

  DDR（Double Data Rate）：即双倍速率同步动态随机存取内存，适用于计算机、服务器和其他高性能计算设备等领域，目前应用广泛的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。

  LPDDR（Low Power Double Data Rate）：即低功耗双倍数据速率内存，适合移动电子设备和嵌入式系统等需要长时间使用的场景，比如手机、平板电脑，目前应用广泛的是 LPDDR4、LPDDR5。

  GDDR（Graphics Double Data Rate）：是在 DDR 的基础上多了 G（Graphics）前缀，专为需要极高吞吐量的数据密集型应用程序设计的高性能存储器，主要使用在在显卡领域。

  HBM（High Bandwidth Memory）：也属于 DRAM 的一种。HBM 在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势，非常适合于高性能计算、图形处理和数据中心等领域，以满足对内存带宽和容量的高需求。

  根据技术类型划分，NAND Flash大致上可以分为如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，根据其数据密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。

  SLC NAND Flash： 是成本最高但也是最耐用的 NAND Flash 存储器类型，通常用于需要高性能和数据完整性的企业级应用，如工业自动化、医疗设施和航空系统。

  MLC NAND Flash：每个存储单元存储多个的信息，通常是两个位元。这增加存储密度并降低了与 SLC NAND 相比的成本，适用于消费级 SSD、数码相机和便携式媒体播放器等产品。

  TLC NAND Flash： 进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子科技类产品和主流 SSD 的着迷选择。

  QLC NAND Flash：是 NAND Flash 技术的最新进展，提供了最高的存储密度和成本效益。通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中。

  长江存储专注于3D NAND闪存晶圆及颗粒。晶栈是长江存储核心技术品牌，该项技术推动公司的3D NAND闪存从64层闪存突破到128层，再加快速度进行发展到232层水平，并与三星、美光等国际巨头站在了同一个起跑线月受美国制裁，其产品目前以128层闪存为主。据说2024年，长江存储已经实现了国产半导体设备的成功替代。最新报道声称，长江存储与韩企的差距也缩小至一年以内。

  长鑫存储专注于DRAM晶圆及颗粒。根据统计，2024年第一季度，长鑫存储在全球DRAM内存市场的份额已达10.1%，位列全球第四位。此外，长鑫存储的两条HBM产线正在建设中，母公司睿力集成计划投资24亿美元在上海建一座高端封装工厂，专注于HBM芯片的封装，预计将于2026年中开始投入生产‌。制程方面，DRAM已发展到10nm-20nm，美国禁止出口18nm及以下的设备和技术，试图将DRAM制造工艺锁定在18nm，但据报道长鑫存储慢慢的开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片。长鑫存储的产品线等主流DRAM产品。最新报道声称，长鑫存储与三星电子在DRAM技术上的差距已缩小至1.5年以下。

  NOR Flash、SLC 2D NAND和利基型DRAM，微型控制器产品主要为32位通用MCU产品。国内MCU在家电和消费电子应用领域的竞争十分激烈，在汽车MCU市场，8位和32位是主流，8位具有超低成本和设计简单等优势，大多数都用在汽车风扇、雨刷天窗等。32位可用的汽车场景包括汽车动力系统、智能座舱、车身控制，32位的车用MCU将成市场需求主流。在工艺制程上，目前公司 MCU 产品覆盖 110nm、55nm、40nm、22nm 工艺制程，在行业处于领先地位。

  SRAM、DRAM和Flash三大类别，用于专业领域，非大存储类晶圆及颗粒，这部分和兆易创新可能类似。已推出21nm的芯片量产，同时展开了20nm工艺的DRAM产品研发。

  内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片等。全球DRAM行业市场90%以上的市场占有率由三星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片主要的下游客户。在DDR5世代，服务器内存模组上除了需要内存接口芯片之外，同时还需要配置三种配套芯片，包括一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗TS芯片；普通台式机、笔记本电脑的内存模组UDIMM、SODIMM上，需要配置两种配套芯片，包括一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。目前DDR5内存接口芯片的竞争格局与DDR4世代类似，全球有三家主流供应商可提供相关这类的产品，分别是澜起科技、瑞萨电子和Rambus。关于DDR5内存模组配套芯片，SPD和TS主要的两家供应商是澜起科技和瑞萨电子，PMIC的竞争对手更多，竞争态势更复杂。

  存储模组产品的开发，产品有嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、内存条及移动存储(U 盘、存储卡)。为了给核心大客户提供更稳定高效的存储定制化解决方案服务，江波龙协同合作的上游存储晶原厂共同开展从传统合作模式向TCM（Technologies Contract Manufacture, 技术合约制造）合作模式的转型升级。大概是由传统厂商向存储品牌企业转型，以突破传统存储器厂商营收天花板。

  近日，在墨西哥海岸附近，一名冲浪者在海滩上发现了一条活的巨型皇带鱼，也被称为“世界末日鱼”，由于每次发现时都可能会发生强烈的海啸或地震，因此在当地被认为是灾难的象征。从视频来看，巨型皇带鱼长约2米，身体呈蓝银色，红色的鳍一直延伸到背部，尾巴受损，好像有一部分被砍掉了。

  极目新闻记者 丁鹏2月3日，有网友发视频称，重庆石柱一彩民刮中一注刮刮乐百万大奖，但被彩票点老板抢回，双方引发争执后报警。4日，极目新闻记者从事发地辖区派出所了解到，没有抢夺彩票，系有关人员对兑奖流程拿不准，已告知中奖彩民开市后拿彩票去彩票中心兑奖。

  “终于不是包饺子了”“这小品线年的蛇年春晚，由王宏坤、尚大庆、张海燕、李川、孙仲秋表演的小品《花架子》辛辣讽刺，全程满是笑点， 受到诸多观众的好评。

  2025年第一届韩国棋院运营委员会会议当地时间2月3日在首尔举行。在此次会议上，韩国棋院运营委员会针对在第29届LG杯世界围棋棋王战决赛中引发争议的“提子保管规定”等盘外规则做出变更决定，取消“累计犯规将直接判负”的相关规定。

  2021年5月，一对结婚半年多的夫妻携手踏上了从辽宁大连驶往山东烟台的客轮。然而等待他们的却不是一段浪漫的旅行，妻子李某环在这艘客轮上竟然坠入海中，不幸身亡。

  近日，四川资中，一熊孩子将鞭炮扔进化粪池井盖中，引燃沼气发生爆炸，致路面炸塌，多辆豪车被炸受损，赔偿问题引发了社会以及全网的强烈关注与热议！

  在阅读此文之前，麻烦您点击一下“关注”，既方便您进行讨论和分享，又能给您带来不一样的参与感，感谢您的支持文、编辑小娄2022年12月29日这天，消失在大众视野许久的央视主持人朱军在社交平台上更新了一则内容。

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