8月18日，美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等组织一起宣告，世界上首个22纳米节点有用静态随机存储器（SRAM）研制成功。这也是全世界初次宣告在300毫米研讨设备环境下，制造出有用存储单元。

  SRAM芯片是更杂乱的设备，比方微处理器的“前驱”。SRAM单元的标准更是半导体工业中的要害技能指标。最新的SRAM单元使用传统的六晶体管规划，仅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM标准缩小妨碍。

  新的研讨工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）完结的，IBM及其他同伴的许多顶尖的半导体研讨都在这个当地进行。IBM科技研发部副总裁T.C. Chen博士称，“咱们正在可能性的终极边际进行研讨，朝着先进的下一代半导体技能行进。新的研讨效果关于不断驱动微电子设备小型化的寻求，可以说至关重要。”

  22纳米是芯片制造的下两代，而下一代是32纳米。在这方面，IBM及合作同伴正在开展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺（high-K metal gate technology）。

  从传统上而言，SRAM芯片经过缩小根本构建单元，来制造得愈加严密。IBM联盟的研讨人员优化了SRAM单元的规划和电路图，然后提升了稳定性，此外，为制造新式SRAM单元，他们还开宣布几种新的制造工艺流程。研讨人员使用高NA浸没式光刻（high-NA immersion lithography）技能刻出了形式维度和密度，并且在先进的300毫米半导体研讨环境中制造了相关部件。

  与SRAM单元相关的要害技能包含：边带高K金属栅极、25纳米栅极长度晶体管、超薄阻隔结构（spacer）、一起掺杂、先进激活技能、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。

  据悉，在2008年12月15至17日美国旧金山即将举办的IEEE世界电子设备（IEDM）年会上，还会有专门的陈述来介绍最新效果的细节。（科学网 任霄鹏/编译）

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