DRAM 厂南亚科将于 17 日召开法人说明会，市场预料，南亚科可望释出正面讯息，第 3 季 DRAM 市况将持续乐观。 反观另一内存 NAND Flash 市况则恐有杂音。内存市场去年出现动态随机存取内存（DRAM）与储存型闪存（NAND Flash）齐旺的罕见情况，今年来两大内存市况不同调，价格会出现分歧走势。DRAM 市场今年来供需持续健康，产品价格延续扬升走势，NAND Flash 市场需求则是趋缓，产品价格回调修正。南亚科第 2 季即在 DRAM 销售价量齐扬下，营运表现亮丽，业绩逐月改写历史上最新的记录纪录，季营收达新台币 245.92 亿元，季增达 30.8% ，并刷新单季业绩历史上最新的记录纪录。内存模块厂威刚今年上半年靠着 DRAM 业绩成长近二成，才得以减缓固态硬盘（SSD）跌价影响，上半年营收 158.93 亿元，较去年同期微增 0.35% 。展望后市，南亚科认为，随只能手机内存装置量增加，加上服务器需求持续强劲，第 3 季 DRAM 市场旺季效应可期。市调机构集邦科技也预期，第 3 季在传统旺季效应发酵下，DRAM 价格可望持续扬升，总产值将可改写历史上最新的记录纪录；服务器内存与行动式内存将是推升第 3 季 DRAM 价格持续走高的主要动力。至于 NAND Flash，集邦科技预期，第 3 季虽然同样是 NAND Flash 市场传统旺季，但今年来自智能手机与笔记本电脑等需求相对平淡，供货商 3D NAND Flash 产出又持续不断的增加，恐将影响第 3 季产品价格趋势疲弱。威刚预期，今年 DRAM 每季价格可望维持稳定或微幅扬升，市场并可望维持健康状态至 2020 年， NAND Flash 则因供给面变数较多，后市展望相对保守，第 3 季产品价格将仅维持稳定或微幅跌价。

  全球前三大DRAM厂都将停止供货华为，台湾存储器业者目前则仍未明确表态后续与华为业务的往来关系。不过，华邦与旺宏高层均不讳言，美国大举封杀华为，确实对公司营运造成短期影响。 南亚科、华邦及旺宏等台湾主要存储器芯片厂迄今仍未明确表态停供华为。 南亚科日前针对美国扩大对华为禁令，特别公告指出，将在有关规定法律许可范围内支持客户，尽力符合客户的真实需求。为维护公司及客户营业秘密，无法对单一客户营运信息进行说明。 旺宏董事长吴敏求先前曾表示，目前已获得约八成5G基站厂商采用，客户除日、韩厂商，也包括华为这家网通客户大单。 因此，未来若华为出货受冲击，短期内将牵动旺宏的出货表现，但预料市场会有其他厂商替补，相关影响仍需视后续发展。 华邦高层则表示，禁

  在 DRAM 供货吃紧的情况下，其又出现价格疯涨现象。据业者估计，2017年 DRAM 整体价格涨幅将高达39%，在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下，明年将出现持续增长现象。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。 据市场调研多个方面数据显示，2016年第四季度 DRAM 供不应求，带动2017年第一季度上涨30%以上。以DRAM市场整体走向来看，今年第三季度平均涨幅约7%，未来第四季度涨幅约5%-10%，虽然涨幅依旧，但是至2018年，涨幅会逐渐趋于平稳，相比2017年，涨幅不会太大。 DRAM连续一年涨幅的根本原因为以下几点，其一，近年来，小米、华为以及OPPO等中国自主研发的手机开始走中高端路线。其二，数据中

  今年半导体资本支出预估 研调机构IC Insights预估，今年半导体产业资本支出可望高达809亿美元，创下历史上最新的记录纪录，年增幅达20％，优于研调机构预期。 其中，资本支出成长幅度最高的为DRAM领域，年增幅高达53％。 IC Insights原先预估，全年半导体产业资本支出为756亿美元、年增12％，不过由于内存产业纷纷进行扩产及技术设备升级，使IC Insight调高今年资本支出。 DRAM大厂SK海力士近期指出，已无法单靠制程升级增加获利，必须加大产能，因此加码今年资本支出预算。 IC Insights表示，虽然DRAM资本支出成为今年半导体产业中的成长王，但Flash领域也不遑多让，Flash产业今年预估将投入1

  美光科技发布了公司2019财年第三财季报告。报告数据显示，美光科技第三财季营收为47.88亿美元，相比之下去年同期的营收为77.97亿美元；纯利润是8.40亿美元，与去年同期的38.23亿美元相比下降78%。 毛利润方面，美国通用会计准则下为18.28亿美元，较上一财年同期的47.23亿美元减少28.95亿美元，较上一财季的28.64亿美元也减少了10.36亿美元；非美国通用会计准则下为18.84亿美元，远低于上一财年同期的47.5亿美元，也不及上一财季的29.28亿美元。 在美国通用会计准则下，美光第三财季的毛利润率为38.2%，较上一财年同期的60.6%下滑了22.4个百分点，较上一财季也下滑了10.9个百分点；非美

  据《日经》Asian Review报道，日美超过20家芯片业公司正联手开发名为MRAM的下一代磁阻随机存取存储器的芯片技术。这一些企业包括东京电子、信越化学、瑞萨电子、日立、以及美国内存巨头镁光科技。它们将向位于日本北部的东北大学抽调出数十名研究人员，团队领导人为远藤哲夫(Tetsuo Endoh)教授，开始时间为明年2月。 与DRAM不同，MRAM采用的是磁存储的手段(DRAM为电荷或电流)。 据《日经》报道，MRAM的功率消耗只有DRAM的1/3，而容量和写入速度都能够达到DRAM的10倍。这使得MRAM成为了下一代智能手机和平板电脑的绝配。 至于产品商业化后的具体表现，还有待观察，预计MRAM的量产会从2018

  历经六年的开发时间，DDR4终于踏上征程，扬帆起航。 近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3，开始支持时钟频率达2133MHz的DDR4存储器，这表明在PC、服务器平台叱咤风云多年的DDR3进入世代交替的阶段。 其实英特尔的这个出乎意料的举动还满反常的，因为这异于其以往处理器支持新规格存储器的步调──通常先针对PC平台、再针对服务器平台。但目前英特尔仅在第三季才刚推出的高阶桌上型PC处理器当中（Core i7-5820K、i7-5930K、i7-5960X极致版），支持DDR4，而不是等到DDR4在PC、笔电产品全面普及后，再让

  多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版，而不同版本之间的差价可达到几百元，这让我们正真看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。   存储“芯”动态：美光扩产广岛DRAM厂 三星拟扩充西安NAND Flash产能 半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品  DRAM ，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以 DRAM 和NAND两种主要存储芯片为例，2016年第一季度， DRAM 市场93%份额由韩国三星、海力士和美国 美光 科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三

  12月28日消息 三星电子周三宣布，它已经开发出了业界首款容量为1Gb的移动版DRAM，与其前代产品相比，新开发的这款芯片具有更薄、更省电等优点。 据报道，三星称，新款移动版DRAM芯片的厚度至少较现有封装了双512Mb芯片产品减少了20％，而且耗电量也可降低约30％。 三星表示，这款新产品可以被应用在大量的高配置手机以及静态数码相机、便携式媒体播放器和便携式游戏机等产品上。 “三星计划2007年第二季开始生产这种新产品，届时高容量移动DRAM芯片的市场需求将非常旺盛。” DRAM中文名为动态随机存取存储器，这种芯片在电脑中的应用最为普遍。

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