全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布荣获龙旗控股（“龙旗”）授予的2007年度最佳供应商奖，这是Spansion连续二年获得该公司颁发的奖项。过去五年多来，Spansion一直为中国领先的手机设计提供商龙旗提供一系列广泛的MirrorBit® NOR闪存器件。Spansion是唯一获此殊荣的NOR闪存供应商。 随着花了钱的人手机更新需求的增长，中国的移动行业继续保持强劲的增长势头。消费者通常希望所选择的新手机中具有高清拍照

  采用微控制器的大多数设备还需要某种机制来存储在断电时仍要被记住的那些设置数据。例如，在更换电池后记不住预设电台的收音机必然不会在市场上取得很大的成功。用户希望喜爱的电台、预设温度、参数选择和其他永久性信息能长久存下来供每次开机时直接取用。 为满足这种客户的真实需求，设计师通常用串行EEPROM。这一些器件又小又便宜，具有很长的历史，设计工程师用起来得心应手。但在今天对成本极其敏感的市场下，即使这样一个廉价的器件也可能突破成本预算。因此许多设计师试图寻求并利用已经包含在微控制器芯片中的资源：程序闪存

  6月5日消息，近日，Sun公司宣布，将从今年下半年开始在服务器系统中采用闪存芯片，用于取代或扩展传统硬盘。 据国外新闻媒体报道，Sun公司将从今年下半年开始在服务器系统中采用闪存芯片。由于具有低功耗和高速等优点，闪存已大范围的应用于手机和便携音乐播放器，并开始更多地应用于笔记本电脑中。Sun公司主管系统集团的执行副总裁约翰福勒(John Fowler)表示：“当前其它服务器厂商也在考虑应用这项新技术，但是业界一致认为传统硬盘向闪存的转型期将会从2010年开始。但事实上是服务器

  全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion Inc.（NASDAQ：SPSN）今天宣布，其并行和串行闪存解决方案为领先电子元件分销商安富利电子元件部(Avnet Electronics Marketing)发布的Xilinx® Spartan®-3A参考板提供快速启动时间和有效代码执行。该参考板上兼具备受推崇的MirrorBit® NOR GL 32 Mb闪存和低管脚数MirrorBit SPI FL 128 Mb串行闪存器件。 “通过与安富利公司 (Av

  三星电子(Samsung Electronics)26日举行年度Mobile Forum，揭示NAND型闪存(Flash)下世代42纳米工艺技术，将提前于5月底送样，第3季度步入量产，目前40纳米世代NAND Flash工艺，新帝(SanDisk)和东芝(Toshiba)阵营动作最快，43纳米工艺预计第2季度底前量产，至于海力士(Hynix)48纳米工艺，以及英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营35纳米工艺，都预计于第3季度量产，业界担心第3季度之后NAND Flash产能倾巢而出，将再度重

  汽车作为一部大型的机电一体化设备，汽车电子在汽车整体成本中的比例慢慢的变大。目前欧美发达国家汽车电子的平均成本达350美元以上，其涵盖了从车身控制、动力传动、车身安全，到车内娱乐的每个方面。 微控制器（MCU）作为汽车电子系统内部运算和处理的核心，也遍布悬挂、气囊、门控和音响等几十种次系统（Sub-System）中。由于汽车作为高速交通工具承载了对用户生命安全的保障，同时汽车经常工作在十分恶劣的环境中，其对内部电子设备的可靠性要求要远高于一般性电子科技类产品。因此汽车电子所用的MCU与一般性产品的结构差

  如果凭老东家的实力，新公司应该让人感觉很有希望。但是现实面临两个大的问题，其一是在专注的存储器领域强手如林，新公司能否脱颖而出；其二是老东家英特尔及意法是否肯下更大的赌注。       全球头号芯片供应商英特尔与欧洲大厂STMicro合资新建的存储器厂Numonyx，中文名叫恒忆公司，于2008年4月1日作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主体业务是整合NOR、NAND(两种存储器类型)及内置RAM（内存）的存储器，并利用新型相变移位

  Spansion推出针对手机的65nm MirrorBit® Eclipse™闪存解决方案样片

  北京,2007年4月7日全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布，开始向其战略型OEM客户提供针对手机的65nm MirrorBit® Eclipse闪存解决方案样片。通过将标准NOR闪存所具有的出色随机存取性能与MirrorBit Eclipse架构所拥有的业内领先的编程能力相结合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架构的MCP产品将为使用中高端手机平台的用户所带来非同凡响的使用体验。公司计划

  工程师能够使用恰当组合外设和闪存的合适8位微控制器来设计离线锂离子电池充电器，这是一个十分好的选择。 集成2KB闪存和合适外设的80C51基微控制器所提供的解决方案并不昂贵。集成的闪存还能简便有效地调试应用码，如果必要的话，还可现场升级软件。 由于设计领域已经广泛接受并熟悉了80C51，软件/硬件开发便可以加快进行。这一方法的另一优点是，众多厂商提供了一系列强大而 经济的应用开发工具。考虑到成本、设计效率和安全的电池充电的重要性，基于微控制器的解决方案的诸多优势便不言而喻。

  日前，全球领先的闪存供应商晟碟和东芝公司在日本签署了一项合作协议，表示双方将共同兴建NAND闪存工厂(Fab5)，以应对未来市场对NAND闪存的需求，该工厂预计将于2010年投产。 市场研究公司AmericanTechnologyResearch分析师道格•弗里德曼(DougFreedman)表示：“我们始终相信大部分的投资者都希望Fab5工厂能够于2009年就可以投产，因为现在的供求关系依然比较乐观。” 但是闪存供应商们延迟其工厂兴建计划也再一次证明了NAN

  大约在1984年，在受聘于东芝公司期间，Fujio Masuoka博士发明了一种独特的存储器件，具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除只读存储器(EEPROM)器件的理想特征。与RAM 和EEPROM一样，可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作，器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外，与RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存储器的容量容易提高。重要的是，与ROM和EEPROM相比，该芯片能长时期存

  2月25日消息,闪存价格的下降已经伤害了一些半导体厂商的股票在市场上买卖的金额。但是，今天的痛苦可能会为明天的增长铺平道路。 NAND闪存芯片大范围的应用于便携式媒体播放机、数码相机、硬盘和其它设备中。由于供过于求，2007年NAND闪存芯片的价格比2006年下降了60%。 但是，由于消费者喜欢数字音乐、图片和视频和相关的便携式设备，NAND闪存芯片的需求也迅速增加，2007年的需求量增长了大约170%。通过在一个更小的芯片中放入更多的闪存等生产方面的技术进步，闪存厂商能够把成本降低40%至50%。

  受到4Q07 NAND Flash价格剧跌的影响，品牌NAND Flash厂商3Q07整体营收表现微幅下跌成为US.8bn，比3Q07营收QoQ小幅减少了2.7%，由于3Q07末次级房贷所引发的金融市场风暴延烧到4Q07，造成传统欧美年终采购旺季需求不如预期，再加上主要NAND Flash供货商新的5Xnm制程产品在4Q07的产出量也较3Q07运转更顺畅，使得4Q07 NAND Flash整体产出比特QoQ成长约45%，因此也造成NAND Flash市场由3Q07的供货吃紧转为4Q07的小幅供过于求，

  东芝日前联合其美国半导体合作伙伴SanDisk宣称，未来两家公司计划投资7000亿日元在日本北部新建一处NAND闪存芯片基地。 两家公司表示，新基地的选址非常有可能定在日本北部北上岩手县。但日本电子巨头东芝表示新工厂的选址还未作最后确定。 半导体芯片在整个业务当中占支柱地位的东芝公司目前有4个芯片制造基地，而且全部都在四日地区的三重县。 另有消息称，北九州地区的福冈县已向东芝公司发出邀请，希望东芝公司能将其第五个芯片制造工厂建在本地区。同时有人建议称，东芝公司即将建立的第五个芯片基地最

  在最近发生了产品品种类型短缺和平均销售价格走平之后，NAND闪存市场可能会再一次崩溃。 据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称，全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这一些因素都会对NAND闪存市场产生一定的影响。 Mok称，苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动，导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。 这位分析师称，虽然自从2

  【闪存的概念】 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [查看详细]

  【正点原子STM32精英V2开发板体验】体验LVGL的SDNAND文件系统

  英飞凌推出256 Mbit SEMPER Nano NOR Flash快闪存储器产品

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