从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的根本原因。即使底层器件未出现非常明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1.(a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流(GIDL)；(c)位线接触(BLC) 与存储节点接触(SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电

  据ZDnet报道，三星宣布，已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。

  三星率先为DRAM芯片导入EUV：明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

  当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并逐步提升产能。三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12

  TrendForce：2019年第四季量增抵销价跌影响，DRAM产值较前季近持平

  据IDC预测，2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量，如此惊人而又庞大的数据量，半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种，具体类型如下：“凛冬将至”：这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司（三星、海力士、美光）的财报都非常喜人，SK海力士、美光的营收规模均成长近8成，而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说，2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%，达4197.2亿美元，存储器的

  最近的疫情危机给全球大多数电子科技类产品的前景蒙上了阴影，智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了，Q1季度开始就进入全球牛市，预计会连涨七个季度，也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后，这两家公司纷纷表态对生产基本没影响，但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血，内存及SSD硬盘的现货价应声而起，1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢？UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展的新趋势，他认为内存涨价将持续至少7个

  美光科技近日宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。

  Raj Talluri  （美光科技移动产品事业部 高级副总裁兼总经理）1 内存和存储领域会出现哪些应用或技术热点数据爆发推动了各个技术领域对内存和存储的需求，而云和移动是当前内存和存储的最大需求来源。在移动领域，基于视频内容和游戏的需求一直增长，智能手机比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能。按照每个客户的需求趋势判断，美光认为2020年，智能手机的平均容量将达到5GB的DRAM和120 GB的NAND。与此同时，5G网络的普及将刺激对DRAM和N

  张明花（集邦咨询顾问（深圳）有限公司 编辑，深圳 518000）摘  要：预估2020年全球内存市场的年成长率仅为12.2%，这一个数字在年成长动辄25%、甚至40%~50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商2020年将以获利为主要目标，资本支出也会减少。关键词：内存；DRAM；三星；SK海力士；美光观察全球内存（DRAM）市场供需格局以及价格趋势，在历经近5个季度的库存调整后，2019年第4季 度DRAM市场仍处于微幅供过于求状态，即便2020年 第1季度DRAM的

  据台媒报道，南亚科已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产！

  儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中国台湾证券交易所上市企业，全球领先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存储解决方案供应商爱普科技签署全球分销协议。这项分销协议涵盖了爱普科技的全部产品，并且已经生效。根据此分销合作伙伴关系协议，儒卓力是爱普科技IoT RAM产品在欧洲市场的独家分销商。爱普科技的产品范围有各种各样的存储解决方案，重点产品则是具有低引脚数的超低功耗IoT RAM和具有长寿命支持的标准DRAM产品。在物联网和边缘AI市场，存储器是系统性

  DRAM大厂南亚科董事长吴嘉昭认为，明年第2季起，DRAM市场就会供需平衡，且若市场未有大量新产能开出，下半年DRAM可望再度供不应求。

  6月末也是在大阪召开G20结束的时间，此次出口限制可谓是对韩国企业的一次“偷袭”！此次“偷袭”使人想起了第二次世界大战时的“日本偷袭珍珠港”。

  新闻摘要：• 16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领头羊。• 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代

  根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式公开宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台中的厂区内建立量产产线。

  DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [查看详细]

  【白皮书】基于SoC FPGA的存储器系统中的纠错码V1.2(Error Correction Code in SoC FPGA-Based Memory Systems V1.2)

  毕业班第2课第3.1节_移植最新u-boot之修改代码之建新板_时钟_SDRAM_UART

  突破 绕过EUV光刻机来实现DRAM芯片自主开发，这家存算一体芯片公司成功实现

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